杏彩体育平台碳化硅材料配方配比生产工艺技术加工流程简介：一种用于碳化硅材料生长和后处理的高温装置及方法，用于碳化硅材料生长和后处理的高温装置包括射频感应加热炉和碳化硅桶；射频感应加热炉包括炉腔、由内到外依序位于炉腔内的感应发热体和保温毡；碳化硅桶位于感应发热体内，碳化硅桶的两端分别设置桶盖和相对应的导气管，形成整体件；整体件内部设置为供碳化硅材料生长和后处理区域，用于流通生长性气体或氧化性气体；其中，整体件、感应发热体、保温毡和炉腔内壁之间均存在间隙，形成气体流通通道，用于流通惰性气体以进行气体隔离。本技术既能延长感应发热体和保温毡的使用寿命，也能防止感应发热体和保温毡在高温下析出杂质影响碳化硅材料的制备。

　　简介：本技术提供了一种用于单晶硅炉重复加料的碳/碳化硅复合材料加料筒，包括以下步骤：步骤一、将T700碳纤维布和碳纤维网胎交替叠层针刺成筒型预制体，预制体的密度为0.4~0.5g/cm3；步骤二、将筒型预制体放入化学气相沉积炉内增密至1.2~1.3g/cm3；步骤三、将上述坯体放入高温石墨化炉内进行石墨化处理；步骤四、将上述坯体机械加工成加料筒规格；步骤五、将上述机械加工好的坯体，放入立式高温陶瓷化炉内，在坯体内部和表面制备碳化硅。其技术方案优点是，碳/碳化硅复合材料具有很高的硬度及耐磨性，不会对硅料造成二次污染；力学性能优异，加料筒的可靠性大大提高，降低了事故风险；抗热震性能良好，能够承受急冷急热，大大缩短了将加料筒从提拉筒转移出来的时间，杏彩体育官网有效提高了单晶硅棒生产效率。

　　简介：本技术提供了一种多相复合增强的低摩擦碳化硅陶瓷密封材料，该低摩擦碳化硅陶瓷密封材料的原料由以下重量百分比的成分组成为：碳化硅86％～88％，钇铝石榴石6％～8％，石墨烯1％～2.5％，纳米二硼化锆1％～2.5％，碳化硅晶须1％～2.5％。本技术还同时提供了该低摩擦碳化硅陶瓷密封材料的配方技术。本技术制备而得的碳化硅陶瓷密封材料不仅摩擦系数低，而且力学性能较高。

　　简介：本技术提供了一种高致密度铝碳化硅复合材料配方技术，将铝颗粒分散在硅溶胶中，密封搅拌，过滤后干燥处理得到改性的铝粉；将获得的改性铝粉与氧化铝和高岭土混合后机械搅拌；将得到的粉体和碳化硅搅拌混合，再加入聚乙二醇液体保持转速继续搅拌得到陶瓷粉体；将陶瓷粉体压制制成成型毛坯，经热处理后随炉冷却得到气孔率30％～40％的碳化硅预制型；将得到的碳化硅预制型进行无压浸渗铝液；冷却处理后制得高致密度的铝碳化硅复合材料。本技术不但提高了铝液浸渗过程的润湿性，得到了高致密度的铝碳化硅复合材料，而且生成的莫来石晶须有利于提高复合材料的机械性能。

　　简介：一种铝基碳化硅高密度封装半导体复合材料，包含如下步骤：制备SiC复合浆料，首先使用SiC微粉配制得到固含量为30‑70%的SiC浆料，然后按照SiC∶Au∶Ag：Pd为（50‑60）∶（0.3‑0.6）∶1：（0.02‑0.05）的质量比加入金粉和银粉和钯粉，混合均匀，得到SiC复合浆料；流延成型，对得到的SiC复合浆料除泡混合均匀后，进行流延得到SiC复合流延膜；流延膜素烧，对得到的流延膜进行素烧，得到SiC复合素坯；真空烧结，将SiC符合素坯在真空状态下烧结，得到铝基碳化硅。本技术的有益效果：通过采用凝胶流延法制备铝基氮化铝，工艺简单，得到的产品成分分布均匀，气孔率低，半导体性能优越，且通过引入金、银和钯粉，充分改善烧结性能，进一步降低烧结温度，节能环保。

　　简介：本技术提供了一种具有裂纹自愈合特点的连接碳化硅的连接材料及其应用。所述连接材料包括Al4C3、Al4SiC4、Al4C3与SiC的混合物以及Al4SiC4与SiC的混合物等。本技术还提供了所述连接材料于连接碳化硅材料中的用途。本技术还提供了一种碳化硅材料的连接方法，其包括：在待连接的碳化硅材料的连接界面处设置Al4C3、Al4SiC4、Al4C3与SiC的混合物以及Al4SiC4与SiC的混合物，并加热，使所述待连接的碳化硅材料之间实现高强度连接。本技术所获的碳化硅连接结构的抗弯强度高，耐高温耐氧化耐腐蚀性能优良，在高温下具有裂纹自愈合的功能，可应用在航空航天及核能系统等极端服役环境中。

　　简介：本技术涉及一种碳纤维增强碳‑碳化硅‑碳化锆复合材料及其配方技术。所述方法：(1)在碳纤维预制体包含的碳纤维表面沉积热解碳基体，得改性碳纤维预制体；(2)配制硅粉、锆粉、石墨粉和酚醛树脂的质量比为(1～3)：(4～6)：5:100的混合树脂溶液；(3)用混合树脂溶液浸渍改性碳纤维预制体，然后使浸渍后的改性碳纤维预制体依次进行固化和碳化反应；碳化反应在惰性气氛中进行，碳化反应温度为1650～1750℃，时间为0.5～2h；(4)重复步骤(3)至少一次，制得所述复合材料。本技术能使得碳化硅、碳化锆在复合材料中均匀分布，降低游离金属含量低，提高材料的抗氧化、耐烧蚀性能。

　　简介：本技术属于碳化硅材料技术领域，提供一种碳化硅复合材料及其配方技术，包括如下重量百分含量的原料：碳化硅粉体70‑80％，金属粉3‑15％，石墨烯1‑5％，粘结剂2‑10％，水10‑20％；其方法包括：将碳化硅粉体、金属粉、石墨烯置于混粉机中混合、球磨；将粘结剂与水混合得到混合粘结剂；将混合粘结剂加入混合粉体中混料，然后置于液压成型得到胚体；将坯体置于非氧化性气氛烧结炉中煅烧，冷却至即得碳化硅复合材料。本技术复合材料烧成温度低，节能，生产工艺简单，生产成本低，且具有使用寿命长，耐压强度高、抗热震性能好和抗氧化性能好等优点，具有广泛的经济和社会价值。

　　简介：本技术提供了一种含钛‑硅金属间化合物和碳化硅颗粒的钛基复合材料的配方技术，包括：1)将Ti3SiC2粉末球磨，得到均匀的Ti3SiC2粉末；2)将钛合金粉末与均匀的Ti3SiC2粉末继续球磨均匀，得到混合粉末；3)将混合粉末烘干并筛分，得到干燥粉末；4)利用热压烧结系统将步骤3)所得的干燥粉末烧结成型，制得含Ti5Si3和TiC颗粒的钛基复合材料。本技术利用Ti3SiC2在钛基体中的分解，原位反应制备TiC增强相，TiC是由Ti3SiC2分解而成，在烧结过程以及后续处理过程不会发生变化，杏彩官网注册且Ti5Si3不与TiC颗粒团聚，使得增强相的分布均匀，工艺操作简单，对设备要求低，因此工艺适用性强，大部分的钛合金均可用于制备本技术所述钛基复合材料，大大拓宽了钛合金的应用范围。

　　简介：本技术属于材料制备领域，提供了一种铝碳化硅复合材料的配方技术，包括以下步骤：1)将不同粒径的碳化硅颗粒进行混匀，加入粘结剂、分散剂，进行二次混料，制得原料；2)将原料压制成型，制备出碳化硅陶瓷预制体；3)将碳化硅陶瓷预制体进行烧结，形成多孔陶瓷；4)在惰性气体气氛下，将铝合金加热至融化后，通过惰性气体加压的方式压入多孔陶瓷内部成型，得到铝碳化硅复合材料。其中，步骤1)中的不同粒径的碳化硅颗粒的重量百分比为：1m碳化硅颗粒5～15％、5m碳化硅颗粒15～20％、15m碳化硅颗粒20～30％、其余为35m碳化硅颗粒。所述铝碳化硅复合材料具有适宜热膨胀系数、高弹性模量、高导热率等优良的性能，适用于惯导系统台体结构体。

　　398 一种在锆铝碳/碳化硅复合材料表面制备ZrB＆lt;base:Sub＆gt;2＆lt;/base:Sub＆gt;/SiC涂层的方法

　　889 一种锂离子电池负极材料碳化硅及使用此材料的锂离子二次电池

　　1091 生产高纯度－三氧化二铝、碳化硅微米、纳米级粉体材料的搅拌反应研磨处理方法

　　1093 压电晶体精微加工用高纯度－三氧化二铝、碳化硅微米、纳米级粉体材料的生产方法

　　1140 一种在钛基金属部件和碳化硅（ＳｉＣ）基和／或碳基陶瓷材料制成的部件之间纤焊成的装配件

　　1174 碳/碳复合材料表面碳化硅纳米线 纳米碳化硅颗粒增强镍基复合材料的复合电铸配方技术

　　1179 制备碳化硅颗粒增强铝基复合材料的线 制备高体积分数碳化硅颗粒增强铝基复合材料零件方法

　　以上为本套技术的目录及部分简要介绍,完整内容都包括具体的配方配比和生产工艺制作过程。收费450元，购买或咨询更多相关技术内容可联系：微信/电话：